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简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

在电子工程世界为您找到如下关于“mosfet”的新闻

现代IGBT/mosfet栅极驱动器提供隔离功能的最大功率限制
摘要 本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。 在高度可靠、高性能的应用中,如电动/混合动力汽车,隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况下完好无损。随着Si-MOSFET/IGBT不断改进,以及对GaN和SiC工艺技术的引进,现代功率转换器/逆变器的功率密度不断提高。因此,需要高度集成、耐用的新型隔离式栅极驱动器...
类别:材料技术 2019-06-21 标签: IGBT MOSFET
高压mosfet第四种技术AccuMOS?产品 成倍提升行业功率密度
,2019年6月18日正式发布的AccuMOS?产品,很好地解决了上述难题。AccuMOS?采用自主研发的“全新电场操纵”技术,首次将摩尔定律引入高压功率场效应管(MOSFET)设计,可将Rsp值(Specific Rdson,单位面积电阻)随设计线宽逐步缩小。本次派微电子发布的AccuMOS?产品功率密度已经达到LDMOS和VDMOS业界最好水平 的2倍以上,并且随着线宽...
类别:半导体生产 2019-06-19 标签: MOSFET AccuMOS
捷捷微电:芯片年产能160万片,将扩充mosfet、IGBT等产品线
生产线、新型片式元器件和光电混合集成电路封测产线,扩充MOSFET、IGBT等产品线,为中长期增长奠定基础。江苏捷捷微电子股份有限公司创建于1995年,是一家专业从事半导体分立器件、电力电子器件研发、制造及销售的江苏省高新技术企业。据其官网介绍,目前公司拥有五条半导体功率器件产品线。...
类别:便携/移动产品 2019-06-06 标签: 捷捷微电
盘点安森美在电动汽车领域的布局
的是ON的车辆电气化产品组合。该公司的电源产品包括IGBT(绝缘栅双极晶体管),具有广泛的双极电流承载能力。这些产品包括用于牵引驱动应用的高功率IGBT器件,在650V-1200V范围内。安森美半导体还生产高压栅极驱动器(功率放大器,采用低功率IC输入并为IGBT或MOSFET产生高电流驱动输入)和高压整流器,将AC转换为单向DC。此外,安森美半导体还提供超结MOSFET...
类别:动力系统 2019-06-06 标签: 安森美 电动汽车 功率 MOSFET
技术文章—常见mosfet失效模式的分析与解决方法
,因此可以改善系统的可靠性。LLC 谐振半桥变换器因其自身具有的多种优势逐渐成为一种 主流拓扑。这种拓扑得到了广泛的应用,包括高端服务 器、平板显示器电源的应用。但是,包含有LLC谐振半 桥的ZVS桥式拓扑,需要一个带有反向快速恢复体二极 管的MOSFET,才能获得更高的可靠性。 在功率变换市场中,尤其对于通信/服务器电源应用,不 断提高功率密度和追求更高效率已经成为具...
类别:电源设计 2019-05-28 标签: MOSFET
Power Integrations发布集成900 V初级mosfet离线式开关电源IC
深耕于高压集成电路高能效电源转换领域的知名公司Power Integrations公司发布一系列集成了900 V初级MOSFET的离线式开关电源IC。新发布的器件既包括适合高效率隔离反激式电源的IC,也包括适合简单型非隔离降压式变换器的IC。其应用范围包括480 VAC三相工业电源以及专供电网不稳定地区、时常遭受雷击的热带地区或者经常发生高能振荡波和浪涌的地区的高品质...
类别:驱动 2019-05-07 标签: Power Integrations
如何选择mosfet——电机控制
本文主要讨论特定终端应用需要考虑的具体注意事项,首先从终端应用中将用于驱动电机的FET着手。电机控制是30V-100V分立式MOSFET的一个庞大且快速增长的市场,特别是对于许多驱动直流电机的拓扑结构来说。在此,我们将专注于讨论如何选择正确的FET来驱动有刷、无刷和步进电机。尽管很少有硬性规定,且可能有无数种方法,但希望本文能让您基于终端应用了解从何处着手。 要做...
类别:智能工业 2019-04-30 标签: MOSFET 电机控制
ROHM开发出内置 SiC mosfet AC/DC转换器IC
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),面向大功率通用逆变器、AC伺服、工业用空调、街灯等工业设备,开发出内置1700V耐压SiC MOSFET*1)的AC/DC转换器*2)IC“BM2SCQ12xT-LBZ”。  近年来,随着节能意识的提高,在交流400V工业设备领域,相比现有的Si功率半导体,可支持更高电压、更节能、更小型的SiC功率半导体...
类别:转换器 2019-04-18 标签: ROHM AC DC转换器
围绕汽车电子,芯片厂商之间的这场争夺战会越来越热闹
的缓解做出巨大贡献。这就使得这个新型材料器件非常适合于在电源、汽车、铁路、工业设备、家用消费电子设备等各个领域。尤其是今年来随着电动车等产业的发展要求,市场对SiC的需求大增。据麦姆斯咨询分析,2018年全球有超过20家的汽车业者,在OBC中使用SiC肖特基二极管(Schottky Diodes)或SiC MOSFET;未来SiC功率半导体在OBC市场中有望以CAGR 44...
类别:汽车电子 2019-04-03 标签: ST SiC功率器件 肖特基二极管 MOSFET
被动元件价格暴跌,MLCC和mosfet首当其冲
零组件陷盘整,被动元件好景不复见!业界传出,微软因MLCC库存水位过高、四处询问代工厂有没有需要?最近连涨价概念MOSFET也跟着头大,近期不仅供需相当平衡,价格也是松动在即,让已经跟英飞凌签订条件严苛的长期供货合约的业者觉得伤脑筋。 业界预期,比起被动元件价格「躺平」,MOSFET价格状况应该会好一点,只会从「站着」变成「坐着」而已。 业界传出,去年...
类别:半导体生产 2019-04-01 标签: MLCC MOSFET

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MOSFET驱动AN799MOSFET 驱动器与 MOSFET 的匹配设计作者:Jamie Dunn Microchip Technology Inc. 2. 由于 MOSFET 驱动器吸收静态电流而产生的功 耗。简介当今多种 MOSFET 技术和硅片制程并存,而且技术进 步日新月异。要根据 MOSFET 的电压 / 电流或管芯尺 寸, 对如何将 MOSFET...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: MOSFET 驱动
MOSFET的基础知识:2.功率MOSFET 的结构和工作原理:功率MOSFET的种类:按导电沟道可分为P 沟道和N 沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,增强型;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道,功率MOSFET 主要是N沟道增强型。2.1 功率MOSFET 的结构功率 MOSFET 的内部结构和电气符号如图1 所示;其导通时...
类别:电机 2013年09月20日 标签: 功率MOSFET
MOSFET的工作原理MOSFET的工作原理MOSFET的原意是:MOS(Metal OxideSemiconductor金属氧化物半导体),FET(Field EffectTransistor场效应晶体管),即以金属层...
类别:电机 2013年09月29日 标签: MOSFET 的工 作原
选择正确的MOSFET:工程师所需要知道的选择正确的MOSFET:工程师所需要知道的作者:飞兆半导体公司 Jonathan Harper 和Enrique Rodriguez随着制造技术的发展和进步,系统设计人员必须跟上技术的发展步伐,才能为其设计挑选最合适的电子器件。MOSFET是电气系统中的基本部件,工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 选择 正确 MOSFET 工程 师所 需要 知道
功率MOSFET的基本知识功率MOSFET的基本知识自 1976 年开发出功率 MOSFET 以来,由于半导体工艺技术的发展,它的性能不断提高:如高压功率 MOSFET 其工 作电压可达 1000V;低导通电阻 MOSFET 其阻值仅 lOm;工作频率范围从直流到达数兆赫;?;ご胧┰嚼丛酵晟?;并开 发出各种贴片式功率 MOSFET(如 Siliconix 最近...
类别:科学普及 2013年09月29日 标签: 功率 MOSFET 的基 本知
功率场效 应晶体管MOSFET 功率场效应晶体管MOSFET 摘要:文中阐述了MOSFET的结构、工作原理、静态、动态特性,并对动态特性的改进进行了论述,简介了MOSFET的驱动电路及其发展动态。 关键词:MOSFET 结构 特性 驱动电路 发展 Abstract:This paper elaborate MOSFET frame、work elements、static state...
类别:模拟及混合电路 2013年06月18日 标签: MOSFET
能同时满足高、低b值的晶体管工作要求的设计方案8.2.6驱动效率8.3贝克(baker)钳位8.3.1baker钳位的工作原理8.3.2使用变压器耦合的baker钳位电路8.3.3变压器型baker钳位[5]8.3.4达林顿管(darlington)内部的baker钳位电路8.3.5比例基极驱动[2~4]8.3.6其他类型的基极驱动电路参考文献第9章大功率场效应管(mosfet)及其驱动电路9.1...
类别:开关电源 2013年06月18日 标签: 开关电源设计
管(Darlington)内部的Baker钳位电路 8.3.5 比例基极驱动[2~4] 8.3.6 其他类型的基极驱动电路 参考文献 第9章 大功率场效应管(MOSFET)及其驱动电路 9.1 概述 9.2 MOSFET管的基本工作原理 9.2.1 MOSFET管的输出特性(Id-Vds) 9.2.2 MOSFET管的输入阻抗和栅极电流 9.2.3 MOSFET管栅极驱动...
类别:开关电源 2013年07月15日 标签: 开关电源
MOSFET开关过程理解 本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程;然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法:基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程,并详细阐述了其开关过程??毓讨?,功率MOSFET动态的经过是关断区、恒流区和可变电阻区的过程。在跨越恒流区时,功率MOSFET漏极的电流和栅极电压以跨导为正比例系列,线性增加。米勒平台区对应着最大的负载...
类别:电机 2013年06月08日 标签: MOSFET开关过程理解
N3856V动作原理说明:DISCONTINUE MODE 是利用流經MOSFET 兩端的電流與MOSFET 本身之RDS(ON)形成電壓降(VSD)和內部參考電壓20mV 比較來控制MOSFET 的導通與關閉 , N3856V 內部有一個電流偵測電路(current decter), 其偵測端直接接於MOSFET 之源極(S)與洩極(D) ,因為此IC 之參考接地為MOSFET 之源極(S...
类别:IC设计及制造 2013年09月22日 标签: N3856V动作原理说明

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141期曾道人 www.w9okj.cn 0

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;   公式2计算最大金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)应力:     公式3给出了最大二极管应力:     其中Vin是输入电压,Vout是输出电压,Vf是二极管正向电压。 与线性稳压器或低压差稳压器(LDO)相比,输入电压和输出电压之间的差异越大,降压转换...
0次浏览 2019-06-24 【模拟与混合信号】

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1.MOSFET的开关过程        MOSFET的开通过程        MOSFET的关断过程   2.栅极驱动电路的类型    直接耦合型    脉冲变压器耦合型    电容耦合型    用于双管正激的驱动电路    用于桥式变换器的驱动电路   直接耦合型驱动电路...
0次浏览 2019-06-23 【模拟与混合信号】

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     就像每个MOSFET需要一个栅极驱动器来切换它,每个电机后面总是有一个驱动力。根据复杂程度和系统成本、尺寸和性能要求,驱动电机的方式多样。       最简单和离散的解决方案是由两个晶体管组成的图腾柱/推挽电路。这些晶体管可以是NPN和PNP晶体管的不同组合,产生将输入逻辑信号转换为高电流信号的放大器,其反之又导通和关断...
142次浏览 2019-06-20 【模拟与混合信号】

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直流PWM电机驱动器,只需要电流环,要求国产化,有哪些国内器件,可以替代UC2637,IR2110等芯片,以及国内MOSFET芯片厂家,完全不摸门,不知道去哪查?;蛘哂惺裁春玫姆桨盖氪笊衩侵傅?。 直流PWM电机驱动器,只需要电流环,国产器件有哪些?...
101次浏览 2019-06-20 电机驱动控制(Motor Control)

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;         ?;た刂疲篜N8680M低功耗电源芯片含有丰富的?;すδ?,包括:逐周期过流?;?、过压?;?、过温?;?、开环?;?、输出短路?;?、CS电阻开/短路?;?、VDD欠压锁定?;すδ?,并且这些?;ぞ哂凶曰指茨J?。 PN8680M原边反馈低功耗电源芯片集成超低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,可省略光耦和TL431,常用...
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快速开关智能整流芯片– ZCC6908替代MP6908 产品特点:   1.可以在宽输出电压范围的应用中,最低0V   2.芯片在电路中自给供电可以输出很低的电压,不需辅助绕组   3.使用标准的12V和5V逻辑电平SR Mosfet   4.符合能源之星1W备用要求   5.<30us的快速关断和开启延时...
0次浏览 2019-06-18 信息发布 标签: ZCC6908替代MP6908

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高耐压降压型电源芯片ZCC2459完全替代MP2459   产品特点: ·0.5A输出峰值电流 ·4.5V至60V宽工作电压 ·1Ω的内部功率MOSFET   ·480KHz固定开关频率  ·陶瓷输出电容稳压      ...
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(在10到15 V的范围内),为金属氧化物供电半导体场效应晶体管(MOSFET)栅极驱动器,并可产生较低 VISO(3.3至5V范围内),为单片机和隔离CAN器件的数字侧供电。          推挽式拓扑结构使用两个低侧开关。这些开关在交替的时钟相位中导通,以便在中心分接隔离变压器上连续传输功率。拓扑结构采用前馈调节,输出电压纯粹通过变压器...
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的功率损耗主要包括传导损耗和开关损耗。您可以通过减小开关元件(通常为MOSFET)的尺寸来降低给定工作频率下的开关损耗,但这会导致传导损耗增加。        在理想设计中,最高可实现效率受到半导体开关的技术的限制。使用传统的基于低压48V硅MOSFET的逆变器,40kHz PWM下的开关损耗可能已明显高于传导损耗,从而构成了整体功率损耗的绝大部分...
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高耐压降压型电源芯片ZCC2451完全替代MP2451  产品特点:      ·230uA工作静态电流      ·3.3 V至36 V宽工作电压范围      ·500mΩ的内部功率MOSFET  ...
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在电源设计中,工程师通?;崦媪倏刂?IC 驱动电流不足的问题,或者面临由于栅极驱动损耗导致控制 IC 功耗过大的问题。为缓解这一问题,工程师通?;岵捎猛獠壳?。半导体厂商(包括 TI 在内)拥有现成的 MOSFET 集成电路驱动器解决方案,但这通常不是成本最低的解决方案,工程师通?;嵫≡癖冉狭?..

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